金融界2024年4月29日消息,據國家知識產權局公告,揚州揚杰電子科技股份有限公司取得一項名為“一種點狀殘留改善方法“,授權公告號CN112582263B,申請日期為2019年9月。
專利摘要顯示,一種顆粒機點狀殘留改善方法。涉及一種半導體制造技術分立器件制造技術領域,尤其涉及一種點狀殘留改善方法。提供了一種操作方便,可有效避免氧化層或顆粒影響的晶片刻蝕殘留方法。本發(fā)明中晶圓傳送到位后,Gap調整穩(wěn)定至0顆粒機.9cm;腔體內壓力保持在650mt,通過200sccm的CF4,250W功率運行BT步35s,刻蝕Wafer表面自然氧化層;在保證BT Step刻蝕速率的前提下,調整BT Step Gap(穿通刻蝕顆粒機步驟硅片與上電極之間的間隙)與ME Step Gap(主刻蝕步驟硅片與上電極之間的間隙)一致,避免上電極往下運動過程中在Wafer(硅片)表面引入缺陷,從而改善Poly(多晶硅)點狀殘留,提高產品良率顆粒機。
本文源自金融界
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